onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.67mm
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
15.21mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.152,00
€ 2,69 Each (In a Tube of 800) (fara TVA)
€ 2.603,92
€ 3,255 Each (In a Tube of 800) (cu TVA)
800
€ 2.152,00
€ 2,69 Each (In a Tube of 800) (fara TVA)
€ 2.603,92
€ 3,255 Each (In a Tube of 800) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
800
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.67mm
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
15.21mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse