onsemi N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB FDP33N25

Nr. stoc RS: 671-4819PProducator: onsemiCod de producator: FDP33N25
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-220AB

Serie

UniFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

94 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

235 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

36.8 nC @ 10 V

Inaltime

9.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 10,15

€ 2,03 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 12,08

€ 2,416 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB FDP33N25
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,15

€ 2,03 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 12,08

€ 2,416 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB FDP33N25
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-220AB

Serie

UniFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

94 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

235 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

36.8 nC @ 10 V

Inaltime

9.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe