onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
WDFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
268 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
2mm
Lungime
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
Thailand
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 840,00
€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.016,40
€ 0,339 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 840,00
€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.016,40
€ 0,339 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
WDFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
268 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
2mm
Lungime
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
Thailand
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse