onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1032CZ
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A, 3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
MicroFET 2 x 2
Serie
PowerTrench
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ, 95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Lungime
2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V, 7 nC @ 4.5 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.75mm
Detalii produs
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,10
€ 1,22 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,38
€ 1,476 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 6,10
€ 1,22 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,38
€ 1,476 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,22 | € 6,10 |
| 50 - 95 | € 1,05 | € 5,25 |
| 100 - 495 | € 0,90 | € 4,50 |
| 500 - 995 | € 0,78 | € 3,90 |
| 1000+ | € 0,70 | € 3,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A, 3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
MicroFET 2 x 2
Serie
PowerTrench
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ, 95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Lungime
2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V, 7 nC @ 4.5 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.75mm
Detalii produs
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse