onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK FDD86250-F085
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,60
€ 0,86 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,41
€ 1,041 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 8,60
€ 0,86 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,41
€ 1,041 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse