onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 6.2 A, 250 V, 3-Pin DPAK FDD7N25LZTM
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
UniFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
570 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 67,00
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 81,07
€ 0,811 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 67,00
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 81,07
€ 0,811 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,67 | € 6,70 |
| 250 - 490 | € 0,57 | € 5,70 |
| 500 - 990 | € 0,50 | € 5,00 |
| 1000+ | € 0,45 | € 4,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
UniFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
570 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse