onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6333C
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Tip pachet
SOT-23
Series
PowerTrench
Montare
Surface
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
220mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
960mW
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
0.8V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Isolated
Inaltime
1mm
Lungime
3mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Detalii produs
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 4,25
€ 0,85 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,14
€ 1,028 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 4,25
€ 0,85 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,14
€ 1,028 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,85 | € 4,25 |
| 50 - 145 | € 0,80 | € 4,00 |
| 150 - 745 | € 0,66 | € 3,30 |
| 750 - 1495 | € 0,62 | € 3,10 |
| 1500+ | € 0,56 | € 2,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Tip pachet
SOT-23
Series
PowerTrench
Montare
Surface
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
220mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
960mW
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
0.8V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Isolated
Inaltime
1mm
Lungime
3mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Detalii produs
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse