onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 FDC6321C
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA, 680 mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω, 450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V, 1.64 nC @ 4.5 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 0,65
€ 0,65 Buc. (fara TVA)
€ 0,79
€ 0,79 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 0,65
€ 0,65 Buc. (fara TVA)
€ 0,79
€ 0,79 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,65 |
| 10 - 99 | € 0,54 |
| 100 - 499 | € 0,47 |
| 500 - 999 | € 0,41 |
| 1000+ | € 0,37 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA, 680 mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω, 450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V, 1.64 nC @ 4.5 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse