onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 8-Pin ECH ECH8661-TL-H
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A, 7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
ECH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ, 39 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.9mm
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 21,50
€ 0,86 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 26,02
€ 1,041 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 21,50
€ 0,86 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 26,02
€ 1,041 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,86 | € 21,50 |
| 100 - 225 | € 0,73 | € 18,25 |
| 250+ | € 0,63 | € 15,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A, 7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
ECH
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ, 39 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.9mm
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse