onsemi N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 BS170
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.19mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.33mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 21,00
€ 0,21 Each (Supplied in a Bag) (fara TVA)
€ 25,41
€ 0,254 Each (Supplied in a Bag) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Punga)
100
€ 21,00
€ 0,21 Each (Supplied in a Bag) (fara TVA)
€ 25,41
€ 0,254 Each (Supplied in a Bag) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Punga)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Punga |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,21 | € 2,10 |
| 250 - 490 | € 0,18 | € 1,80 |
| 500+ | € 0,15 | € 1,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.19mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.33mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse