onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G

Nr. stoc RS: 780-0472PProducator: onsemiCod de producator: 2N7002WT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

€ 25,00

€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 30,25

€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 25,00

€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 30,25

€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002WT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
500 - 900€ 0,05€ 5,00
1000+€ 0,04€ 4,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze