Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.94mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 30,00
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 36,30
€ 0,073 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
€ 30,00
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 36,30
€ 0,073 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,06 | € 3,00 |
| 1000 - 2450 | € 0,06 | € 3,00 |
| 2500 - 4950 | € 0,05 | € 2,50 |
| 5000+ | € 0,05 | € 2,50 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.94mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs


