onsemi N-Channel MOSFET, 260 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET

Nr. stoc RS: 690-0127PProducator: onsemiCod de producator: 2N7002ET1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

0.81 nC @ 5 V

Inaltime

0.94mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 260 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 260 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

0.81 nC @ 5 V

Inaltime

0.94mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe