onsemi 2N6045G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:2500, 3-Pin TO-220
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.82mm
Latime
10.28mm
Maximum Power Dissipation
75 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Lungime
15.75mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,78
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 0,928
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 0,78
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 0,928
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,78 | € 39,00 |
| 100 - 450 | € 0,71 | € 35,50 |
| 500 - 950 | € 0,69 | € 34,50 |
| 1000+ | € 0,67 | € 33,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.82mm
Latime
10.28mm
Maximum Power Dissipation
75 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Lungime
15.75mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse