Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN5R5-60YS,115

Nr. stoc RS: 798-2996PProducator: NexperiaCod de producator: PSMN5R5-60YS,115
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

8.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 82,00

€ 1,64 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 99,22

€ 1,984 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN5R5-60YS,115
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 5
50€ 82,00
55€ 90,20
60€ 98,40
65€ 106,60
70€ 114,80
75€ 123,00
80€ 131,20
85€ 139,40
90€ 147,60
95€ 155,80
100€ 164,00
105€ 172,20
110€ 180,40
115€ 188,60
120€ 196,80

€ 82,00

€ 1,64 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 99,22

€ 1,984 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN5R5-60YS,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 5
50€ 82,00
55€ 90,20
60€ 98,40
65€ 106,60
70€ 114,80
75€ 123,00
80€ 131,20
85€ 139,40
90€ 147,60
95€ 155,80
100€ 164,00
105€ 172,20
110€ 180,40
115€ 188,60
120€ 196,80

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 120€ 1,64€ 8,20
125 - 245€ 1,53€ 7,65
250 - 495€ 1,39€ 6,95
500+€ 1,27€ 6,35

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

8.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe