Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB PSMN4R5-40PS,127
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
148 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 50,80
€ 1,27 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 60,45
€ 1,511 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
40
€ 50,80
€ 1,27 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 60,45
€ 1,511 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
40
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 40 - 96 | € 1,27 | € 5,08 |
| 100 - 196 | € 1,18 | € 4,72 |
| 200 - 396 | € 1,08 | € 4,32 |
| 400+ | € 0,98 | € 3,92 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
148 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse