Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN3R3-40YS,115

Nr. stoc RS: 798-2940Producator: NexperiaCod de producator: PSMN3R3-40YS,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 55V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN3R3-40YS,115
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN3R3-40YS,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 55V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe