Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN2R6-40YS,115
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
LFPAK, SOT-669
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,95
€ 1,79 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,65
€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 8,95
€ 1,79 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,65
€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 10 | € 1,79 | € 8,95 |
| 15 - 70 | € 1,59 | € 7,95 |
| 75 - 370 | € 1,37 | € 6,85 |
| 375 - 745 | € 1,18 | € 5,90 |
| 750+ | € 0,97 | € 4,85 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
LFPAK, SOT-669
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse