Nexperia N-Channel MOSFET, 24 A, 80 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN045-80YS,115

Nr. stoc RS: 798-2889PProducator: NexperiaCod de producator: PSMN045-80YS,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

72 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

56 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 24 A, 80 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN045-80YS,115
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 24 A, 80 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN045-80YS,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

72 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

56 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.1mm

Transistor Material

Si

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe