Nexperia N-Channel MOSFET, 61 A, 60 V, 4-Pin LFPAK33 PSMN011-60MSX
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
LFPAK33
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
24.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
91 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.7mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 690,00
€ 0,46 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 834,90
€ 0,557 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
€ 690,00
€ 0,46 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 834,90
€ 0,557 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
LFPAK33
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
24.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
91 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.7mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse