Nexperia P-Channel MOSFET, 3.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV65XP,215
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 17,00
€ 0,34 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 20,23
€ 0,405 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 17,00
€ 0,34 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 20,23
€ 0,405 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,34 | € 17,00 |
| 600 - 1450 | € 0,18 | € 9,00 |
| 1500+ | € 0,15 | € 7,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse