Nexperia PMV16XN N-Channel MOSFET, 8.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV16XNR
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
PMV16XN
Tip pachet
TO-236
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 390,00
€ 0,13 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 471,90
€ 0,157 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 390,00
€ 0,13 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 471,90
€ 0,157 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
PMV16XN
Tip pachet
TO-236
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse