Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NX3008NBK,215

Nr. stoc RS: 816-0576PProducator: NexperiaCod de producator: NX3008NBK,215
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.14 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.52 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 21,00

€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 25,41

€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NX3008NBK,215
Selectati tipul de ambalaj

€ 21,00

€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 25,41

€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NX3008NBK,215

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
300 - 600€ 0,07€ 10,50
750 - 1350€ 0,07€ 10,50
1500 - 2850€ 0,04€ 6,00
3000+€ 0,04€ 6,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.14 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.52 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe