Nexperia NX3008CBKS Dual N/P-Channel MOSFET, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 NX3008CBKS,115
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA, 350 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NX3008CBKS
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω, 4.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
990 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ -4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 240,00
€ 0,08 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 290,40
€ 0,097 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 240,00
€ 0,08 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 290,40
€ 0,097 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA, 350 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NX3008CBKS
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω, 4.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
990 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ -4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse