Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215

Nr. stoc RS: 792-0891Producator: NexperiaCod de producator: BSS138P
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,00

€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 100) (fara TVA)

€ 7,14

€ 0,071 Buc. (Pe o rola de 100) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,00

€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 100) (fara TVA)

€ 7,14

€ 0,071 Buc. (Pe o rola de 100) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
100 - 100€ 0,06€ 6,00
200 - 400€ 0,05€ 5,00
500 - 900€ 0,04€ 4,00
1000 - 1900€ 0,03€ 3,00
2000+€ 0,03€ 3,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe