Nexperia N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138BKW,115
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 14,00
€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 50) (fara TVA)
€ 16,66
€ 0,333 Buc. (Pe o rola de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 14,00
€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 50) (fara TVA)
€ 16,66
€ 0,333 Buc. (Pe o rola de 50) (cu TVA)
Standard
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,28 | € 14,00 |
| 600 - 1450 | € 0,08 | € 4,00 |
| 1500+ | € 0,06 | € 3,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse