Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115

Nr. stoc RS: 216-9268PProducator: NexperiaCod de producator: BSP250,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.65 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Latime

3.7mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.7mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.65 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Latime

3.7mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.7mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe