P-Channel MOSFET, 520 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH202,215

Nr. stoc RS: 780-5360Producator: NexperiaCod de producator: BSH202,215
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

520 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.35 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

417 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.9 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 520 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH202,215
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 520 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH202,215

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

520 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.35 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

417 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.9 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe