N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH114,215

Nr. stoc RS: 508-539Producator: NexperiaCod de producator: BSH114,215
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

4.6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Lungime

3mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH114,215

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH114,215

Informatii despre stoc temporar indisponibile

20

Disponibil in multiplu de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

4.6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Lungime

3mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe