Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH108,215

Nr. stoc RS: 509-324Producator: NexperiaCod de producator: BSH108,215
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

6.4 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,20

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 6,29

€ 0,315 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH108,215

€ 5,20

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 6,29

€ 0,315 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH108,215

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
20 - 140€ 0,26€ 5,20
160 - 740€ 0,15€ 3,00
760 - 1480€ 0,14€ 2,80
1500+€ 0,11€ 2,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

6.4 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe