Nexperia N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH103,215
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
850 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 435,60
€ 0,145 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 435,60
€ 0,145 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
850 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse