Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002BKW,115
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 36,00
€ 0,18 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 43,56
€ 0,218 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
Standard
200
€ 36,00
€ 0,18 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 43,56
€ 0,218 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
200
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse