Microchip VN10K N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 VN10KN3-G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
VN10K
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.06mm
Lungime
5.08mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.8V
Inaltime
5.33mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 480,00
€ 0,48 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 580,80
€ 0,581 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
1000
€ 480,00
€ 0,48 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 580,80
€ 0,581 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
VN10K
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.06mm
Lungime
5.08mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.8V
Inaltime
5.33mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse