Microchip P-Channel MOSFET, 175 mA, 40 V, 3-Pin TO-92 TP2104N3-G

Nr. stoc RS: 879-3270Producator: MicrochipCod de producator: TP2104N3-GNr. articol Distrelec: 30302162
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

175 mA

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

TO-92

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.06mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.08mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

5.33mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

2V

Detalii produs

Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 14,50

€ 0,58 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 17,54

€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Microchip P-Channel MOSFET, 175 mA, 40 V, 3-Pin TO-92 TP2104N3-G
Selectati tipul de ambalaj

€ 14,50

€ 0,58 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 17,54

€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Microchip P-Channel MOSFET, 175 mA, 40 V, 3-Pin TO-92 TP2104N3-G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 75€ 0,58€ 14,50
100+€ 0,53€ 13,25

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

175 mA

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

TO-92

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

740 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.06mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.08mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

5.33mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

2V

Detalii produs

Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe