Microchip 2N7000 N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 2N7000-G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
2N7000
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Latime
4.06mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.08mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.33mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.85V
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,50
€ 0,42 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 12,50
€ 0,50 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 10,50
€ 0,42 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 12,50
€ 0,50 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,42 | € 10,50 |
| 100+ | € 0,38 | € 9,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
2N7000
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Latime
4.06mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.08mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.33mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.85V
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse