MagnaChip N-Channel MOSFET, 94 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MDU1518URH
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDFN56
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 25) (fara TVA)
Standard
25
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 25) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDFN56
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse