N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH

Nr. stoc RS: 871-4940Producator: MagnaChipCod de producator: MDP11N60TH
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

660 V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

182 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.51mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Each (In a Tube of 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

660 V

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

182 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.51mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe