IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
550 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
GigaMOS, HiperFET
Tip pachet
SMPD
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
23.25mm
Lungime
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
595 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
5.7mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 952,00
€ 47,60 Each (In a Tube of 20) (fara TVA)
€ 1.132,88
€ 56,644 Each (In a Tube of 20) (cu TVA)
20
€ 952,00
€ 47,60 Each (In a Tube of 20) (fara TVA)
€ 1.132,88
€ 56,644 Each (In a Tube of 20) (cu TVA)
20
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
550 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
GigaMOS, HiperFET
Tip pachet
SMPD
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
23.25mm
Lungime
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
595 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
5.7mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse