IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
TO-247
Serie
Trench
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
694 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
157 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
21.46mm
Detalii produs
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 189,60
€ 6,32 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 229,42
€ 7,647 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 189,60
€ 6,32 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 229,42
€ 7,647 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
TO-247
Serie
Trench
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
694 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
157 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
21.46mm
Detalii produs
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse