IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-268
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Lungime
16.05mm
Latime
14mm
Inaltime
5.1mm
Dimensiuni
16.05 x 14 x 5.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 24,25
€ 24,25 Buc. (fara TVA)
€ 28,86
€ 28,86 Buc. (cu TVA)
1
€ 24,25
€ 24,25 Buc. (fara TVA)
€ 28,86
€ 28,86 Buc. (cu TVA)
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 1 | € 24,25 |
| 2 - 4 | € 22,84 |
| 5 - 9 | € 21,44 |
| 10 - 14 | € 20,50 |
| 15+ | € 19,36 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-268
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Lungime
16.05mm
Latime
14mm
Inaltime
5.1mm
Dimensiuni
16.05 x 14 x 5.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse