IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 14,82
€ 14,82 Buc. (fara TVA)
€ 17,93
€ 17,93 Buc. (cu TVA)
1
€ 14,82
€ 14,82 Buc. (fara TVA)
€ 17,93
€ 17,93 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 14,82 |
| 10+ | € 12,78 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse