IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 12,26
Buc. (fara TVA)
€ 14,59
Buc. (cu TVA)
1
€ 12,26
Buc. (fara TVA)
€ 14,59
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,26 |
| 10+ | € 10,37 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse