IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.44 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Latime
4.83mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 25,05
€ 5,01 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 30,31
€ 6,062 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 25,05
€ 5,01 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 30,31
€ 6,062 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 5,01 | € 25,05 |
| 25 - 95 | € 3,79 | € 18,95 |
| 100 - 245 | € 3,54 | € 17,70 |
| 250 - 495 | € 3,00 | € 15,00 |
| 500+ | € 2,80 | € 14,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.44 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Latime
4.83mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse