IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Tip pachet
SOT-227
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
185 nC @ 10 V
Latime
25.07mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 37,02
€ 37,02 Buc. (fara TVA)
€ 44,05
€ 44,05 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 37,02
€ 37,02 Buc. (fara TVA)
€ 44,05
€ 44,05 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 1 | € 37,02 |
| 2 - 4 | € 35,94 |
| 5+ | € 34,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Tip pachet
SOT-227
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
185 nC @ 10 V
Latime
25.07mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse