IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P

Nr. stoc RS: 194-322Producator: IXYSCod de producator: IXFH96N15P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

96 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

480 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Inaltime

21.46mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 6,53

€ 6,53 Buc. (fara TVA)

€ 7,77

€ 7,77 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 6,53
2€ 13,06
3€ 19,59
4€ 26,12
5€ 30,25
6€ 36,30
7€ 42,35
8€ 48,40
9€ 54,45
10€ 60,50
11€ 66,55
12€ 72,60
13€ 78,65
14€ 84,70
15€ 90,75

€ 6,53

€ 6,53 Buc. (fara TVA)

€ 7,77

€ 7,77 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 6,53
2€ 13,06
3€ 19,59
4€ 26,12
5€ 30,25
6€ 36,30
7€ 42,35
8€ 48,40
9€ 54,45
10€ 60,50
11€ 66,55
12€ 72,60
13€ 78,65
14€ 84,70
15€ 90,75

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 4€ 6,53
5 - 19€ 6,05
20 - 49€ 5,62
50 - 99€ 4,73
100+€ 4,51

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

96 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

480 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Inaltime

21.46mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe