IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 69 A, 300 V, 3-Pin TO-247 IXFH69N30P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
69 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Tip pachet
TO-247
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
156 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Transistor Material
Si
Inaltime
21.46mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,54
€ 12,54 Buc. (fara TVA)
€ 14,92
€ 14,92 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 12,54
€ 12,54 Buc. (fara TVA)
€ 14,92
€ 14,92 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,54 |
| 10+ | € 10,82 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
69 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Tip pachet
TO-247
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
156 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Transistor Material
Si
Inaltime
21.46mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse