IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P

Nr. stoc RS: 194-451Producator: IXYSCod de producator: IXFH26N60P
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

21.46mm

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,67

€ 10,67 Buc. (fara TVA)

€ 12,70

€ 12,70 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,67

€ 10,67 Buc. (fara TVA)

€ 12,70

€ 12,70 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 5€ 10,67
6 - 14€ 9,12
15+€ 8,59

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

21.46mm

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe