International Rectifier P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7424TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
IRF7424PbF
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 55,50
€ 1,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 66,04
€ 1,321 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 55,50
€ 1,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 66,04
€ 1,321 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,11 | € 11,10 |
| 100 - 240 | € 1,05 | € 10,50 |
| 250 - 490 | € 1,00 | € 10,00 |
| 500+ | € 0,92 | € 9,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
IRF7424PbF
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse