International Rectifier IRF7424PbF P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7424TRPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SO-8
Serie
IRF7424PbF
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.240,00
€ 0,56 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 2.710,40
€ 0,678 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
€ 2.240,00
€ 0,56 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 2.710,40
€ 0,678 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
4000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SO-8
Serie
IRF7424PbF
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4mm
Lungime
5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse