Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 SPP80P06PHXKSA1

Nr. stoc RS: 914-0194Producator: InfineonCod de producator: SPP80P06PHXKSA1Nr. articol Distrelec: 30284154
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

340 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.57mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

115 nC @ 10 V

Inaltime

15.95mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 18,55

€ 3,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 22,45

€ 4,489 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 SPP80P06PHXKSA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 18,55

€ 3,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 22,45

€ 4,489 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 SPP80P06PHXKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 20€ 3,71€ 18,55
25 - 45€ 3,30€ 16,50
50 - 120€ 3,05€ 15,25
125 - 245€ 2,81€ 14,05
250+€ 2,57€ 12,85

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

340 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.57mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

115 nC @ 10 V

Inaltime

15.95mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe