Infineon N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-220 SPP11N80C3XKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,88
€ 2,88 Buc. (fara TVA)
€ 3,43
€ 3,43 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 2,88
€ 2,88 Buc. (fara TVA)
€ 3,43
€ 3,43 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,88 |
| 10 - 24 | € 2,72 |
| 25 - 49 | € 2,58 |
| 50 - 99 | € 2,43 |
| 100+ | € 2,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse